Support: PCIe Gen4 and SAS4.0

DDR & LPDDR芯片植球返修

提供各种DDR芯片植球返修服务,含DDR芯片和LPDDR芯片, 带胶或不带胶,提供IC返修一站式服务。

  • 引脚数: 不限
  • Sireda:
  • 间距: 0.35mm 或 以上

DDR芯片&LPDDR芯片植球返修

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斯纳达





测试座|测试治具|芯片植球|




                   测试座|测试治具|芯片植球|

专注于高精密BGA返修

深圳市斯纳达科技有限公司承接各种BGA芯片返修(IC植球, 芯片植球), 公司拥有先进植球设备、BGA植球工艺和专业技术团队,专业解决带凹坑POP芯片的返修,带多颗电容CUP芯片的返修,和带黑胶CPU芯片植球返修等问题,提供IC返修一站式服务。

  • 优良的除锡植球工艺,确保每个焊点上的锡球均匀;

  • 十三温区回流焊设备,确保BGA锡球焊接良好;

  • 自主研发测试治具,提供来料检验,去锡,植球,测试等的一站式服务;

  • 自主研发返修治具,拥有多项国家专利;

  • 对于带黑胶芯片,采用优良的去胶工艺,植球品质高;

  • 各种DDR芯片&LPDDR芯片,含DDR3,DDR4,LPDDR3,LPDDR4,LPDDR5,及带黑胶的DDR芯片,均可提供良好的植球质量;

  • 可以配合客户,返修后测试验证合格交货,如推拉力测试,功能测试,X-ray测试等;

  • 高端植球需求,过炉时可提供氮气保护;

  • ESD、ROHS、烘烤等各项指示都符合美国高通等大公司的基本要求;


斯纳达

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 ▲ 高通芯片SM8350带黑胶芯片去胶植球举例

  测试座|测试接头|测试治具|芯片植球|  

 (1) Bottom 面:去黑胶+植球                                                                   (2) Top 面:去黑胶+除锡        

                                            

植球生产操作全流程,客户的需求不同,流程有部分差异

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▲ 典型的DDR芯片植球和LPDDR芯片植球返修

封装间距 (mm)尺寸 (mm)CPU型号
封装间距 (mm)尺寸 (mm)CPU型号
BGA780.88x13, 9x10.5, 9x11DDR3,DDR4
BGA2960.3514x14LPDDR3
BGA960.87.5x13.3, 7.5x13DDR3,DDR4
BGA3660.515x15LPDDR4, K3RG2G2
BGA1780.6511x11.5LPDDR3, K4E8E304EE 
BGA4560.3514x15.5LPDDR3
BGA2000.6510x14.5, 10x15LPDDR4
BGA4960.412.45x14.05LPDDR5 
BGA2560.414x14LPDDR3
BGA5560.412.4x12.4LPDDR4
BGA2720.415x15LPDDR4




此处仅提供部分有代表性的DDR芯片和LPDDR芯片的植球,我们可以根据客户的芯片开发植球治具和植球工艺,定制化植球。带黑胶芯片都能处理得很好,欢迎来询,或发邮件到sales@sireda.com

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