翻盖下压老化座 烧录座 适用于BGA, QFN, LGA, 等封装 适用于半导体产品的测试,验证,烧录,等 适用于间距0.35mm及以上产品 适用于eMMC, eMCP, UFS, LPDDR, Nand, ePOP,等芯片的老化测试 温度范围:-40 ~ 125度 Nand Flansh BGA132/BGA152 老化座/烧录座 各种老化座:BGA153/BGA162/BGA221/BGA254/BGA100... | eMMC BGA153 老化座 701-0000050 eMMC BGA153 老化座应用 |
| 机械性能 测试座材料: PEI 座头材料: PEI 探针类型: 弹簧探针 工作温度: -40 ~ 125度 探针寿命: 2~3万次 弹簧弹力: 20g ~ 30g per Pin 电性能 额定电流: 1A DC电阻: 100毫欧(最大) |
产品编码 | 名称 | 描述 | 封装 | 引脚数 | 材质 | 备注 |
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701-0000050 | Test Socket | BGA153 0.5mm eMMC CS100 11.5x13mm | BGA | 33 | PEI | |
701-0000051 | Test Socket | BGA132 1.0mm Nand CS100 12x18mm | BGA | 88 | PEI | |
701-0000101 | Test Socket | MicroSD Card CS100 11x15mm | LGA | 17 | PEI | |
701-0000121 | Test Socket | BGA254 0.5mm uMCP CS100 11.5x13mm | BGA | 56 | PEI | |
701-0000231 | Test Socket | BGA153 0.5mm UFS3.1 CS100 11.5x13mm | BGA | 112 | PEI |
可提供BGA、LGA、QFN、QFP、SOP等封装的手动老化座, 更多翻盖下压测试座请点击翻盖下压老化座目录,或联系我们:sales@sireda.com.