Support: PCIe Gen4 and SAS4.0

IGBT模组测试座

IGBT测试座专为高电流、高电压IGBT模组设计,可定制满足手测及ATE机台需求,提高测试效率与灵活性。

  • 引脚数:
  • Sireda:
  • 间距:

IGBT测试座

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IGBT测试座在IGBT模块的开发、验证和性能评估过程中起着关键作用。通过一系列全面的测试,确保IGBT在高电流和高电压条件下的稳定性、可靠性和保护功能。以下是IGBT测试座的主要测试内容:


功率元件验证确保功率开关元件正常开关,防止异常电流/电压。

性能评估测试IGBT在高电流/电压下的性能,验证其适应高功率应用。

保护机制测试验证过流/过压保护,防止系统意外损害。

热性能检验评估IPM散热能力,防止过热。

可靠性验证:模拟实际工况,测试IPM持久性和稳定性


斯纳达


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                    IGBT51 3.2mm TH400AN10U3-S500CT 62x109.85mm 

斯纳达

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  • 高适应性:专为大电流大电压IGBT模组设计,满足不同应用需求。

  • 定制化配置:可根据客户要求进行高度定制,适用于手测和ATE机台应用。

  • 综合测试:支持全面测试IGBT性能、稳定性和保护特性,确保产品质量。

  • 高效率:提高测试效率,加速产品开发和验证过程。

  • 灵活性:适用于不同封装和规格的IGBT模组,提供灵活的测试解决方案。

  • 操作简便:用户友好的操作界面,降低使用门槛。

  • 热管理:有效散热设计,确保长时间测试过程中的稳定性。


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性能


测试座材料: Torlon / 防静电黑色玻纤

探针类型:       磷青铜弹片针

工作温度:  - 60 to +180度

探针寿命:        30~50万次

DC电阻:          ≤ 30毫欧



如果您需要更多关于IPM测试座的详细信息,或者想要了解产品规格、定制选项、技术支持和合作机会,请随时联系我们的销售团队。您可以通过以下方式与我们取得联系sales@sireda.com.